커스터마이징: | 사용 가능 |
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메모리 유형: | DDR3 |
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16GB DDR3 1600MHz PC3L-12800/PC3-12800 비 ECC 비버퍼 1.35V/1.5V 240 PIN UDIMM PC 컴퓨터 RAM 그림
브랜드 이름 | DDR RAM |
인터페이스 유형 | DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 |
메모리 속도 | 800MHz/1333MHz/1600MHz/2400MHz/2666MHz/3200mhz |
전압 | 1.2V/1.35V/1.5V/1.8V |
메모리 칩 | 삼성, 마이크론, 인텔 등 |
응용 프로그램 | 데스크탑/노트북 |
RAM 용량 | 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB |
배송 조건 | DHL, UPS, TNT, EMS, FedEx 또는 바다 |
리드 타임 | 1K 미만: 3-5일, 1K-5K 초과 시 확인입니다 |
일반 포장 | 블리스터 박스 또는 하드 박스 50pcs/상자 |
치수 | 133 * 31 * 1.5mm |
무게 | 12G/PC |
성능 | |
지속적인 읽기: | 최대 520MB/s |
지속적인 쓰기: | 최대 400MB/s |
4KB 랜덤 읽기: | 최대 7400IOPS |
4KB 랜덤 쓰기: | 최대 6300 IOPS |
평균 액세스 시간: | 0.1s |
전기적 특성 | |
작동 온도: | 0 ~ 85°C |
작동 전압: | 1.2V/1.35V/1.5V/1.8V |
DDR3(Double Data Rate 3)는 3세대 SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory) 기술로 다음과 같은 몇 가지 주요 특성을 제공합니다.
대역폭 및 속도 향상: DDR3은 DDR2에 비해 데이터 전송 속도가 빠릅니다. 일반적으로 800MT/s ~ 2133MT/s의 속도로 작동합니다 이러한 속도 개선은 높은 메모리 대역폭이 필요한 애플리케이션의 성능을 향상시키는 데 도움이 됩니다.
낮은 전력 소비: DDR3는 DDR2의 1.8V에 비해 낮은 전압(1.5V 표준, 1.35V 및 1.25V의 저전압 버전)에서 작동합니다. 이러한 전압 감소로 전력 소비와 열 발생이 감소하여 모바일 및 에너지 관련 응용 분야에 더욱 효율적이고 적합합니다.
높은 집적도: DDR3은 모듈당 더 큰 메모리 용량을 지원하며, DIMM당 일반적인 용량은 1GB~16GB입니다. 따라서 시스템이 더 큰 워크로드와 더 까다로운 애플리케이션을 처리할 수 있습니다.
향상된 지연 시간: DDR3은 DDR2에 비해 지연 시간이 약간 더 길지만 속도가 빨라져 전반적으로 성능이 향상됩니다. DDR3의 일반적인 CAS 대기 시간(CL)은 9 ~ 15입니다.
8비트 프리페치 버퍼: DDR3는 8n 프리페치 아키텍처를 사용하므로 데이터 핀당 클럭 주기당 8비트의 데이터를 전송할 수 있습니다. DDR2의 4비트 프리페치에 비해 이러한 개선은 데이터 전송 속도를 높이고 전반적인 성능을 향상시키는 데 도움이 됩니다.
향상된 신호 무결성: DDR3에는 명령 및 주소 신호에 대한 플라이 바이 토폴로지가 통합되어 있어 신호 무결성과 타이밍을 개선하는 데 도움이 됩니다. 이 설계는 마더보드 추적 라우팅의 복잡성을 줄이고 전반적인 시스템 안정성을 향상시킵니다.
역호환성: DDR3은 핀 구성, 신호 전압 및 기타 전기적 차이로 인해 DDR2와 역호환되지 않습니다. 그러나 설계 개선은 성능과 효율면에서 상당한 이점을 제공합니다.
DDR3(Double Data Rate 3) 메모리의 주요 사양 및 매개변수는 다음과 같습니다.
데이터 전송 속도:
메모리 용량:
전압:
버스트 길이:
지연 시간:
모듈 및 핀 개수:
대역폭:
전력 소비량:
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새로 고침 빈도:
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